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【2h】

Epitaxial growth of antiphase boundary free GaAs layer on 300 mm Si(001) substrate by metalorganic chemical vapour deposition with high mobility

机译：通过高迁移率的金属有机化学气相沉积在300mm si（001）衬底上外延生长反相无边界Gaas层

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R. Alcotte; M. Martin; J. Moeyaert; R. Cipro; S. David; F. Bassani; F. Ducroquet; Y. Bogumilowicz; E. Sanchez; Z. Ye; X. Y. Bao; J. B. Pin; T. Baron;
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年度 2016
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